SSM3K336R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.71 грн |
| 6000+ | 5.85 грн |
| 9000+ | 5.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K336R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23F, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta).
Інші пропозиції SSM3K336R,LF за ціною від 5.17 грн до 30.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3K336R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 3358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3K336R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 3358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3K336R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23FInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23F Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 9244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3K336R,LF | Toshiba |
MOSFETs Small Signal Mosfet |
на замовлення 7692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM3K336R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1109+ | 12.73 грн |
| 1239+ | 11.39 грн |
| 1404+ | 10.06 грн |
| 1620+ | 8.40 грн |
| 1914+ | 6.59 грн |
| 3000+ | 5.17 грн |
| SSM3K336R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 18.67 грн |
| 59+ | 12.86 грн |
| 60+ | 12.73 грн |
| 100+ | 10.99 грн |
| 250+ | 8.98 грн |
| 500+ | 7.47 грн |
| 1000+ | 6.32 грн |
| 3000+ | 5.17 грн |
| SSM3K336R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 30.93 грн |
| 17+ | 18.24 грн |
| 100+ | 11.52 грн |
| 500+ | 8.07 грн |
| 1000+ | 7.19 грн |
| SSM3K336R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small Signal Mosfet
MOSFETs Small Signal Mosfet
на замовлення 7692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



