Продукція > TOSHIBA > SSM3K339R,LF(T
SSM3K339R,LF(T

SSM3K339R,LF(T Toshiba


docget.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1272+10.15 грн
1684+7.67 грн
2000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 1272
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K339R,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.185 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3K339R,LF(T за ціною від 7.95 грн до 35.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K339R,LF(T SSM3K339R,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622434.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.185 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.36 грн
500+9.52 грн
1500+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(T SSM3K339R,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622434.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.185 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+35.79 грн
50+19.93 грн
100+12.36 грн
500+9.52 грн
1500+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.