SSM3K339R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.43 грн |
| 6000+ | 4.72 грн |
| 9000+ | 3.96 грн |
| 15000+ | 3.60 грн |
| 21000+ | 3.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K339R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3K339R,LF за ціною від 3.58 грн до 29.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3K339R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23FPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V |
на замовлення 28726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SSM3K339R,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Small Signal MOSFET |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SSM3K339R,LF Код товару: 177600
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
SSM3K339R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SSM3K339R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
SSM3K339R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F T/R |
товару немає в наявності |
