SSM3K339R TOSHIBA
Виробник: TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 11.22 грн |
| 56+ | 7.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K339R TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 2A, Power dissipation: 1W, Case: SOT23F, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 390mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 1.1nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SSM3K339R за ціною від 5.78 грн до 13.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
+1 |
SSM3K339R | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 2A Power dissipation: 1W Case: SOT23F Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 390mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 56 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SSM3K339R | Виробник : Toshiba | MOSFETs |
товару немає в наявності |