SSM3K339R TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 11.10 грн |
| 65+ | 6.48 грн |
| 100+ | 5.82 грн |
| 500+ | 5.15 грн |
| 3000+ | 4.90 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
41 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K339R TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 2A, Power dissipation: 1W, Case: SOT23F, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 390mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 1.1nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.