SSM3K339R
  • SSM3K339R
  • SSM3K339R

SSM3K339R TOSHIBA


SSM3K339R.pdf Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8841 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
41+11.03 грн
65+6.44 грн
100+5.78 грн
500+5.12 грн
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K339R TOSHIBA

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 2A, Power dissipation: 1W, Case: SOT23F, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 390mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 1.1nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SSM3K339R за ціною від 5.85 грн до 13.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K339R
+1
SSM3K339R Виробник : TOSHIBA SSM3K339R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8841 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.23 грн
39+8.03 грн
100+6.94 грн
500+6.14 грн
3000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R Виробник : Toshiba MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.