SSM3K341R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 9.48 грн |
6000+ | 8.67 грн |
9000+ | 8.05 грн |
30000+ | 7.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K341R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3K341R,LF за ціною від 7.94 грн до 31.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SSM3K341R,LF | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SSM3K341R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V |
на замовлення 43552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SSM3K341R,LF | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SSM3K341R,LF | Виробник : Toshiba | MOSFET U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET |
на замовлення 73767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SSM3K341R,LF | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SSM3K341R,LF | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |