Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K341TU,LF
SSM3K341TU,LF

SSM3K341TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=56017&prodName=SSM3K341TU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 6A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.80 грн
6000+9.51 грн
9000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K341TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 6A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3K341TU,LF за ціною від 7.89 грн до 48.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K341TU,LF SSM3K341TU,LF Виробник : Toshiba ssm3k341tu_datasheet_en_20220311.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
762+16.02 грн
886+13.78 грн
891+13.71 грн
1017+11.58 грн
1231+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 762
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LF SSM3K341TU,LF Виробник : Toshiba ssm3k341tu_datasheet_en_20220311.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+16.10 грн
41+14.87 грн
100+12.34 грн
250+11.36 грн
500+9.56 грн
1000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LF SSM3K341TU,LF Виробник : Toshiba SSM3K341TU_datasheet_en_20220311-1289324.pdf MOSFET LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
на замовлення 7324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.16 грн
14+25.72 грн
100+16.41 грн
500+13.02 грн
1000+10.67 грн
3000+9.20 грн
9000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LF SSM3K341TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56017&prodName=SSM3K341TU Description: MOSFET N-CH 60V 6A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 13737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.54 грн
11+28.66 грн
100+18.40 грн
500+13.11 грн
1000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LF SSM3K341TU,LF Виробник : Toshiba ssm3k341tu_datasheet_en_20220311.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LF SSM3K341TU,LF Виробник : Toshiba ssm3k341tu_datasheet_en_20220311.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.