SSM3K341TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 6A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.55 грн |
| 6000+ | 9.29 грн |
| 9000+ | 8.85 грн |
| 15000+ | 7.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K341TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 6A UFM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Supplier Device Package: UFM, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SSM3K341TU,LF за ціною від 8.02 грн до 47.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3K341TU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V |
на замовлення 3067 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3K341TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A UFM Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: UFM Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
на замовлення 17164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|