SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.27 грн |
| 9000+ | 6.02 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3K345R,LF за ціною від 5.19 грн до 33.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3K345R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 1371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SSM3K345R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 1371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SSM3K345R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23FPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V |
на замовлення 23980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM3K345R,LF | Toshiba |
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V |
на замовлення 37110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM3K345R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 706+ | 20.08 грн |
| 1255+ | 11.30 грн |
| 1354+ | 10.47 грн |
| 1368+ | 10.00 грн |
| SSM3K345R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 26.67 грн |
| 38+ | 20.08 грн |
| 100+ | 10.90 грн |
| 250+ | 9.35 грн |
| 500+ | 8.89 грн |
| 1000+ | 5.19 грн |
| SSM3K345R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
на замовлення 23980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.40 грн |
| 16+ | 19.59 грн |
| 50+ | 14.18 грн |
| 100+ | 11.65 грн |
| 500+ | 8.72 грн |
| SSM3K345R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V
на замовлення 37110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



