SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.37 грн |
| 6000+ | 6.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-23F, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SSM3K345R,LF за ціною від 5.15 грн до 33.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3K345R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 1371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SSM3K345R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 1371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SSM3K345R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23FInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23F Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM3K345R,LF | Toshiba |
MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V |
на замовлення 52090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM3K345R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 706+ | 19.90 грн |
| 1255+ | 11.20 грн |
| 1354+ | 10.38 грн |
| 1368+ | 9.91 грн |
| SSM3K345R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 26.43 грн |
| 38+ | 19.90 грн |
| 100+ | 10.80 грн |
| 250+ | 9.27 грн |
| 500+ | 8.81 грн |
| 1000+ | 5.15 грн |
| SSM3K345R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.87 грн |
| 15+ | 19.86 грн |
| 100+ | 12.60 грн |
| 500+ | 8.85 грн |
| 1000+ | 7.89 грн |
| SSM3K345R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V
MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V
на замовлення 52090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



