SSM3K347R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.92 грн |
| 6000+ | 6.51 грн |
| 9000+ | 5.77 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K347R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3K347R,LF за ціною від 6.98 грн до 31.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3K347R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23FPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V |
на замовлення 12430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SSM3K347R,LF | Toshiba |
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SSM3K347R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM3K347R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V
на замовлення 12430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.84 грн |
| 14+ | 21.39 грн |
| 100+ | 10.79 грн |
| 500+ | 8.98 грн |
| 1000+ | 6.98 грн |
| SSM3K347R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SSM3K347R,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



