Продукція > TOSHIBA > SSM3K357R,LF(T
SSM3K357R,LF(T

SSM3K357R,LF(T TOSHIBA

4008608.pdf
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 8648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K357R,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 650mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-23F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm.

Інші пропозиції SSM3K357R,LF(T за ціною від 6.98 грн до 11.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K357R,LF(T SSM3K357R,LF(T TOSHIBA 4008608.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 8648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(T TOSHIBA Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 650mA; 1.5W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 650mA
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: 12V
On-state resistance: 1.8Ω
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(T Toshiba ssm3k357r_datasheet_en_20210107.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1235+11.48 грн
1444+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 1235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(T 4008608.pdf
SSM3K357R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 8648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 650mA; 1.5W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 650mA
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: 12V
On-state resistance: 1.8Ω
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(T ssm3k357r_datasheet_en_20210107.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1235+11.48 грн
1444+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 1235 шт
В кошику  од. на суму  грн.