SSM3K357R,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.91 грн |
| 500+ | 11.02 грн |
| 1500+ | 9.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K357R,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 650mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM3K357R,LF(T за ціною від 7.00 грн до 40.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3K357R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 10173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SSM3K357R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 650mA; 1.5W; SOT23F Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 650mA Power dissipation: 1.5W Case: SOT23F Gate-source voltage: 12V On-state resistance: 1.8Ω Gate charge: 1.5nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SSM3K357R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|