SSM3K35AMFV,L3F(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K35AMFV,L3F(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm.
Інші пропозиції SSM3K35AMFV,L3F(T за ціною від 3.92 грн до 7.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3K35AMFV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm |
на замовлення 6153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SSM3K35AMFV,L3F(T | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 23110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SSM3K35AMFV,L3F(T | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SSM3K35AMFV,L3F(T | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SSM3K35AMFV,L3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 6153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3K35AMFV,L3F(T |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 23110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2050+ | 6.86 грн |
| 2203+ | 6.38 грн |
| 2505+ | 5.61 грн |
| 2614+ | 5.18 грн |
| 8000+ | 4.53 грн |
| 16000+ | 3.92 грн |
| SSM3K35AMFV,L3F(T |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 6.94 грн |
| 48000+ | 5.90 грн |
| SSM3K35AMFV,L3F(T |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40000+ | 7.56 грн |
| 48000+ | 6.43 грн |



