SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 2.46 грн |
| 16000+ | 2.14 грн |
| 24000+ | 2.02 грн |
| 40000+ | 1.77 грн |
| 56000+ | 1.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: VESM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3K35AMFV,L3F за ціною від 1.46 грн до 19.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3K35AMFV,L3F | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 17741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SSM3K35AMFV,L3F | Виробник : Toshiba |
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V |
на замовлення 788537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SSM3K35AMFV,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: VESM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V |
на замовлення 56614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SSM3K35AMFV,L3F | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 17741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SSM3K35AMFV,L3F | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R |
товару немає в наявності |