Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K35AMFV,L3F
SSM3K35AMFV,L3F

SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=55390&prodName=SSM3K35AMFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 248000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.63 грн
16000+2.28 грн
24000+2.16 грн
40000+1.89 грн
56000+1.81 грн
80000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: VESM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3K35AMFV,L3F за ціною від 2.02 грн до 18.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K35AMFV,L3F SSM3K35AMFV,L3F Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 6185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1985+7.14 грн
2723+5.21 грн
3668+3.87 грн
4412+3.10 грн
6025+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 1985 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55390&prodName=SSM3K35AMFV Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 248225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
34+8.97 грн
100+5.56 грн
500+3.82 грн
1000+3.36 грн
2000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F SSM3K35AMFV,L3F Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 6185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.48 грн
66+11.53 грн
67+11.42 грн
104+7.02 грн
250+6.38 грн
500+4.46 грн
1000+3.31 грн
3000+2.75 грн
6000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F SSM3K35AMFV,L3F Toshiba F8B560E612A1399BFB0F7F302AE71DD808FF9622ADDA2F110CF62E49966BC446.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
на замовлення 61274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F docget.pdf
SSM3K35AMFV,L3F
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 6185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1985+7.14 грн
2723+5.21 грн
3668+3.87 грн
4412+3.10 грн
6025+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 1985 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F docget.jsp?did=55390&prodName=SSM3K35AMFV
SSM3K35AMFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 248225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.53 грн
34+8.97 грн
100+5.56 грн
500+3.82 грн
1000+3.36 грн
2000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F docget.pdf
SSM3K35AMFV,L3F
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 6185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+18.48 грн
66+11.53 грн
67+11.42 грн
104+7.02 грн
250+6.38 грн
500+4.46 грн
1000+3.31 грн
3000+2.75 грн
6000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F F8B560E612A1399BFB0F7F302AE71DD808FF9622ADDA2F110CF62E49966BC446.pdf
SSM3K35AMFV,L3F
Виробник: Toshiba
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
на замовлення 61274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.