Продукція > TOSHIBA > SSM3K35CT,L3F(T
SSM3K35CT,L3F(T

SSM3K35CT,L3F(T Toshiba

ssm3k35ctdatasheeten20140301.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 3-Pin CST T/R
на замовлення 8366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 23 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K35CT,L3F(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 100mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: CST, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.

Інші пропозиції SSM3K35CT,L3F(T за ціною від 32.93 грн до 32.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K35CT,L3F(T SSM3K35CT,L3F(T Toshiba ssm3k35ctdatasheeten20140301.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 3-Pin CST T/R
на замовлення 8366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F(T SSM3K35CT,L3F(T TOSHIBA 4008609.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 8465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F(T SSM3K35CT,L3F(T TOSHIBA 4008609.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F(T SSM3K35CT,L3F(T TOSHIBA 4008609.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F(T ssm3k35ctdatasheeten20140301.pdf
SSM3K35CT,L3F(T
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 3-Pin CST T/R
на замовлення 8366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
431+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F(T 4008609.pdf
SSM3K35CT,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 8465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F(T 4008609.pdf
SSM3K35CT,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F(T 4008609.pdf
SSM3K35CT,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.