Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K35CTC,L3F
SSM3K35CTC,L3F

SSM3K35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=29855&prodName=SSM3K35CTC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.30 грн
20000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: CST3C, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3K35CTC,L3F за ціною від 3.45 грн до 25.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K35CTC,L3F SSM3K35CTC,L3F Toshiba 72650997904522477265095520993527ssm3k35ctc_datasheet_en_20171204.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1765+8.03 грн
1771+8.00 грн
1897+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 1765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F SSM3K35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29855&prodName=SSM3K35CTC Description: MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 39325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
25+12.04 грн
100+7.50 грн
500+5.18 грн
1000+4.57 грн
2000+4.06 грн
5000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F SSM3K35CTC,L3F Toshiba 72650997904522477265095520993527ssm3k35ctc_datasheet_en_20171204.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.59 грн
43+17.76 грн
44+17.58 грн
100+7.75 грн
250+7.15 грн
500+6.41 грн
1000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F 72650997904522477265095520993527ssm3k35ctc_datasheet_en_20171204.pdf.pdf
SSM3K35CTC,L3F
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1765+8.03 грн
1771+8.00 грн
1897+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 1765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F docget.jsp?did=29855&prodName=SSM3K35CTC
SSM3K35CTC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 39325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.19 грн
25+12.04 грн
100+7.50 грн
500+5.18 грн
1000+4.57 грн
2000+4.06 грн
5000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F 72650997904522477265095520993527ssm3k35ctc_datasheet_en_20171204.pdf.pdf
SSM3K35CTC,L3F
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+25.59 грн
43+17.76 грн
44+17.58 грн
100+7.75 грн
250+7.15 грн
500+6.41 грн
1000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.