Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K35MFV(TPL3)
SSM3K35MFV(TPL3)

SSM3K35MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage

Mosfets_Prod_Guide.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K35MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: VESM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V.

Інші пропозиції SSM3K35MFV(TPL3)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K35MFV(TPL3) SSM3K35MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3) SSM3K35MFV(TPL3) Toshiba SSM3K35MFV_datasheet_en_20140301-1134200.pdf MOSFET Singel N-ch 20V 0.18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3) Toshiba Mosfets_Prod_Guide.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3) Mosfets_Prod_Guide.pdf
SSM3K35MFV(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3) SSM3K35MFV_datasheet_en_20140301-1134200.pdf
SSM3K35MFV(TPL3)
Виробник: Toshiba
MOSFET Singel N-ch 20V 0.18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3) Mosfets_Prod_Guide.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.