Технічний опис SSM3K35MFV Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT723; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 0.18A, Power dissipation: 0.15W, Case: SOT723, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 20Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
Інші пропозиції SSM3K35MFV
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
  |
SSM3K35MFV,L3F(T | TOSHIBA |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT723; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.18A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 20Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSM3K35MFV,L3F(T |
|
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT723; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT723; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40000 шт
В кошику
од. на суму грн.