SSM3K361TU,LF

SSM3K361TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage


SSM3K361TU_datasheet_en_20220419.pdf?did=56019&prodName=SSM3K361TU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K361TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SSM3K361TU,LF за ціною від 8.38 грн до 53.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K361TU,LF SSM3K361TU,LF Виробник : Toshiba ssm3k361tu_datasheet_en_20220419.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
726+16.81 грн
847+14.41 грн
852+14.33 грн
970+12.13 грн
1159+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 726
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LF SSM3K361TU,LF Виробник : Toshiba ssm3k361tu_datasheet_en_20220419.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+16.88 грн
39+15.61 грн
100+12.90 грн
250+11.88 грн
500+10.02 грн
1000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LF SSM3K361TU,LF Виробник : Toshiba SSM3K361TU_datasheet_en_20220419-1289326.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
на замовлення 9960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.26 грн
12+29.95 грн
100+17.29 грн
500+13.54 грн
1000+12.21 грн
3000+10.30 грн
6000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LF SSM3K361TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361TU_datasheet_en_20220419.pdf?did=56019&prodName=SSM3K361TU Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 7744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.32 грн
10+31.65 грн
100+20.36 грн
500+14.53 грн
1000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LF SSM3K361TU,LF Виробник : Toshiba ssm3k361tu_datasheet_en_20220419.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LF SSM3K361TU,LF Виробник : Toshiba ssm3k361tu_datasheet_en_20220419.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.