Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K361TU,LXHF
SSM3K361TU,LXHF

SSM3K361TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K361TU_datasheet_en_20220419.pdf?did=56019&prodName=SSM3K361TU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K361TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: UFM, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SSM3K361TU,LXHF за ціною від 16.41 грн до 69.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K361TU,LXHF SSM3K361TU,LXHF Toshiba ssm3k361tu_datasheet_en_20220419.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+24.86 грн
573+24.78 грн
647+21.91 грн
654+20.91 грн
692+18.30 грн
1000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 571 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHF SSM3K361TU,LXHF Toshiba ssm3k361tu_datasheet_en_20220419.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.02 грн
31+24.86 грн
50+23.89 грн
100+19.57 грн
250+18.59 грн
500+17.57 грн
1000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHF SSM3K361TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361TU_datasheet_en_20220419.pdf?did=56019&prodName=SSM3K361TU Description: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.12 грн
10+41.66 грн
100+27.13 грн
500+19.62 грн
1000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHF SSM3K361TU,LXHF Toshiba 4232424534314239374636333044383545443941354143364233374433453245.pdf MOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHF ssm3k361tu_datasheet_en_20220419.pdf
SSM3K361TU,LXHF
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
571+24.86 грн
573+24.78 грн
647+21.91 грн
654+20.91 грн
692+18.30 грн
1000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 571 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHF ssm3k361tu_datasheet_en_20220419.pdf
SSM3K361TU,LXHF
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+26.02 грн
31+24.86 грн
50+23.89 грн
100+19.57 грн
250+18.59 грн
500+17.57 грн
1000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHF SSM3K361TU_datasheet_en_20220419.pdf?did=56019&prodName=SSM3K361TU
SSM3K361TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.12 грн
10+41.66 грн
100+27.13 грн
500+19.62 грн
1000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LXHF 4232424534314239374636333044383545443941354143364233374433453245.pdf
SSM3K361TU,LXHF
Виробник: Toshiba
MOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.