SSM3K36MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage


Mosfets_Prod_Guide.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 416000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+3.63 грн
16000+3.19 грн
24000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K36MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: VESM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3K36MFV,L3F за ціною від 3.79 грн до 32.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K36MFV,L3F SSM3K36MFV,L3F Toshiba 398docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k36mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 23625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1507+9.39 грн
1522+9.30 грн
1525+9.28 грн
2412+5.66 грн
3000+5.19 грн
6000+4.15 грн
15000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 1507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3F SSM3K36MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 432430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.58 грн
22+14.28 грн
100+8.92 грн
500+6.20 грн
1000+5.49 грн
2000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3F SSM3K36MFV,L3F Toshiba 398docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k36mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 23625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.24 грн
34+22.31 грн
100+9.06 грн
250+8.30 грн
500+7.95 грн
1000+5.03 грн
3000+4.98 грн
6000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3F SSM3K36MFV,L3F Toshiba 9F8BC29F5A4D51229C5D589B9CA2B43E23DFADEBF36A05AD3C496DBCC3C032D2.pdf MOSFETs Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52
на замовлення 119277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3F 398docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k36mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 23625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1507+9.39 грн
1522+9.30 грн
1525+9.28 грн
2412+5.66 грн
3000+5.19 грн
6000+4.15 грн
15000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 1507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3F Mosfets_Prod_Guide.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 432430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.58 грн
22+14.28 грн
100+8.92 грн
500+6.20 грн
1000+5.49 грн
2000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3F 398docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k36mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 23625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+32.24 грн
34+22.31 грн
100+9.06 грн
250+8.30 грн
500+7.95 грн
1000+5.03 грн
3000+4.98 грн
6000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36MFV,L3F 9F8BC29F5A4D51229C5D589B9CA2B43E23DFADEBF36A05AD3C496DBCC3C032D2.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52
на замовлення 119277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.