Продукція > TOSHIBA > SSM3K376R,LXHF
SSM3K376R,LXHF

SSM3K376R,LXHF Toshiba

SSM3K376R_datasheet_en_20250313-1358525.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W
на замовлення 4744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.94 грн
14+26.32 грн
100+15.00 грн
500+11.18 грн
1000+9.11 грн
3000+7.88 грн
6000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K376R,LXHF Toshiba

Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): +12V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SSM3K376R,LXHF за ціною від 6.02 грн до 31.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K376R,LXHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60463&prodName=SSM3K376R Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.85 грн
6000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60463&prodName=SSM3K376R Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.47 грн
15+21.93 грн
100+13.95 грн
500+9.84 грн
1000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHF SSM3K376R,LXHF Виробник : Toshiba ssm3k376r_datasheet_en_20210528.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.