SSM3K376R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.31 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K376R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): +12V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SSM3K376R,LXHF за ціною від 9.92 грн до 37.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3K376R,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): +12V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SSM3K376R,LXHF | Toshiba |
MOSFETs SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W |
на замовлення 4744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM3K376R,LXHF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.28 грн |
| 14+ | 22.14 грн |
| 50+ | 16.05 грн |
| 100+ | 13.19 грн |
| 500+ | 9.92 грн |
| SSM3K376R,LXHF |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W
MOSFETs SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W
на замовлення 4744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)