Продукція > TOSHIBA > SSM3K376R,LXHF
SSM3K376R,LXHF

SSM3K376R,LXHF Toshiba

SSM3K376R_datasheet_en_20210528-1358525.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W
на замовлення 5601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.45 грн
18+19.67 грн
100+11.60 грн
500+9.03 грн
1000+8.15 грн
3000+6.31 грн
9000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K376R,LXHF Toshiba

Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): +12V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SSM3K376R,LXHF за ціною від 8.85 грн до 34.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K376R,LXHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60463&prodName=SSM3K376R Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.14 грн
14+22.09 грн
100+14.04 грн
500+9.90 грн
1000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHF SSM3K376R,LXHF Виробник : Toshiba ssm3k376r_datasheet_en_20210528.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60463&prodName=SSM3K376R Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.