Продукція > TOSHIBA > SSM3K37MFV,L3F
SSM3K37MFV,L3F

SSM3K37MFV,L3F Toshiba

218docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k37mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 28830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3534+2.65 грн
15000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3534 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K37MFV,L3F Toshiba

Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: VESM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3K37MFV,L3F за ціною від 2.53 грн до 16.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV,L3F Toshiba 218docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k37mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 28890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5301+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 5301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37MFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=1892&prodName=SSM3K37MFV Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.90 грн
16000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV,L3F TOSHIBA SSM3K37MFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.25A; 0.15W; SOT723; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 13096 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+15.96 грн
47+8.89 грн
100+5.21 грн
500+3.71 грн
1000+3.26 грн
2000+2.89 грн
5000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37MFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=1892&prodName=SSM3K37MFV Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 20147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.93 грн
31+9.78 грн
100+6.10 грн
500+4.19 грн
1000+3.69 грн
2000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV,L3F Toshiba 712BC3D1AD0FD072294CFF05E1357BC1099AEBE5A662854DFA3381893DE6582C.pdf MOSFETs Small-signal FET 0.25A 20V 12pF
на замовлення 18737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F 218docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k37mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf
SSM3K37MFV,L3F
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 28890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5301+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 5301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=1892&prodName=SSM3K37MFV
SSM3K37MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.90 грн
16000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV.pdf
SSM3K37MFV,L3F
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.25A; 0.15W; SOT723; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 13096 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+15.96 грн
47+8.89 грн
100+5.21 грн
500+3.71 грн
1000+3.26 грн
2000+2.89 грн
5000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=1892&prodName=SSM3K37MFV
SSM3K37MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 20147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+16.93 грн
31+9.78 грн
100+6.10 грн
500+4.19 грн
1000+3.69 грн
2000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K37MFV,L3F 712BC3D1AD0FD072294CFF05E1357BC1099AEBE5A662854DFA3381893DE6582C.pdf
SSM3K37MFV,L3F
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-signal FET 0.25A 20V 12pF
на замовлення 18737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.