SSM3K56CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.17 грн |
| 19+ | 15.64 грн |
| 100+ | 9.81 грн |
| 500+ | 6.85 грн |
| 1000+ | 6.08 грн |
| 2000+ | 5.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K56CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA CST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: CST3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3K56CT,L3F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3K56CT,L3F | Toshiba |
MOSFETs Small Low ON Resistane MOSFETs |
на замовлення 2060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM3K56CT,L3F |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small Low ON Resistane MOSFETs
MOSFETs Small Low ON Resistane MOSFETs
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)