| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.74 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K56FS,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3K56FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 150mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-416, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.186ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm.
Інші пропозиції SSM3K56FS,LF(T за ціною від 14.54 грн до 34.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3K56FS,LF(T | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SSM3K56FS,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K56FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SSM3K56FS,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K56FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 150mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.186ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SSM3K56FS,LF(T | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 31 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSM3K56FS,LF(T |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 34.22 грн |
| 30+ | 26.02 грн |
| 52+ | 14.54 грн |
| SSM3K56FS,LF(T |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K56FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K56FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3K56FS,LF(T |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K56FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.186ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K56FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.186ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3K56FS,LF(T |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)