SSM3K56FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.26 грн |
| 6000+ | 4.57 грн |
| 9000+ | 4.31 грн |
| 15000+ | 3.78 грн |
| 21000+ | 3.62 грн |
| 30000+ | 3.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K56FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SSM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3K56FS,LF за ціною від 5.67 грн до 30.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3K56FS,LF | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R |
на замовлення 2528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SSM3K56FS,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA SSMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V |
на замовлення 4006563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SSM3K56FS,LF | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R |
на замовлення 2528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SSM3K56FS,LF | Toshiba |
MOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF |
на замовлення 100618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM3K56FS,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1178+ | 11.93 грн |
| 1190+ | 11.81 грн |
| 1437+ | 9.78 грн |
| 2090+ | 6.48 грн |
| SSM3K56FS,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 4006563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.63 грн |
| 21+ | 14.68 грн |
| 100+ | 9.19 грн |
| 500+ | 6.39 грн |
| 1000+ | 5.67 грн |
| SSM3K56FS,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 30.46 грн |
| 33+ | 22.74 грн |
| 34+ | 22.60 грн |
| 100+ | 11.51 грн |
| 250+ | 10.55 грн |
| 500+ | 8.38 грн |
| 1000+ | 5.76 грн |
| SSM3K56FS,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF
MOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF
на замовлення 100618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




