Продукція > TOSHIBA > SSM3K56MFV,L3F(T

SSM3K56MFV,L3F(T TOSHIBA



Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+25.85 грн
52+15.93 грн
250+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K56MFV,L3F(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3K56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm.