Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K56MFV,L3F
SSM3K56MFV,L3F

SSM3K56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=13823&prodName=SSM3K56MFV Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.18 грн
16000+3.99 грн
24000+3.95 грн
40000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 20V 800MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: VESM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3K56MFV,L3F за ціною від 3.60 грн до 27.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K56MFV,L3F SSM3K56MFV,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13823&prodName=SSM3K56MFV Description: MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 52234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
19+16.17 грн
100+6.85 грн
500+5.79 грн
1000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3F SSM3K56MFV,L3F Виробник : Toshiba SSM3K56MFV_datasheet_en_20140404-1022842.pdf MOSFETs Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm
на замовлення 162283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.98 грн
20+17.43 грн
100+7.14 грн
1000+5.00 грн
2500+4.34 грн
8000+3.75 грн
24000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3F Виробник : Toshiba 7423docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k56mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.