Продукція > TOSHIBA > SSM3K56MFV,L3F
SSM3K56MFV,L3F

SSM3K56MFV,L3F Toshiba

AE6749D6DC4959A64307B55517ACCFD9361FE03869641D65E2DDBF56B9B01582.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm
на замовлення 6055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K56MFV,L3F Toshiba

Description: MOSFET N-CH 20V 800MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: VESM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3K56MFV,L3F

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K56MFV,L3F SSM3K56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13823&prodName=SSM3K56MFV Description: MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3F SSM3K56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13823&prodName=SSM3K56MFV Description: MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3F SSM3K56MFV,L3F Toshiba 7423docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k56mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3F docget.jsp?did=13823&prodName=SSM3K56MFV
SSM3K56MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3F docget.jsp?did=13823&prodName=SSM3K56MFV
SSM3K56MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K56MFV,L3F 7423docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k56mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf
SSM3K56MFV,L3F
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.