SSM3K56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 4.81 грн |
| 16000+ | 4.23 грн |
| 24000+ | 4.02 грн |
| 40000+ | 3.56 грн |
| 56000+ | 3.43 грн |
| 80000+ | 3.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: VESM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3K56MFV,L3F за ціною від 5.33 грн до 36.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3K56MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA VESMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VESM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V |
на замовлення 89800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SSM3K56MFV,L3F | Toshiba |
MOSFETs Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm |
на замовлення 69237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SSM3K56MFV,L3F | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SSM3K56MFV,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 10 V
на замовлення 89800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.17 грн |
| 20+ | 15.34 грн |
| 100+ | 9.64 грн |
| 500+ | 6.72 грн |
| 1000+ | 5.97 грн |
| 2000+ | 5.33 грн |
| SSM3K56MFV,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm
MOSFETs Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm
на замовлення 69237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SSM3K56MFV,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 36.88 грн |
| 31+ | 24.71 грн |
| 100+ | 10.41 грн |
| 250+ | 9.54 грн |
| 500+ | 9.06 грн |
| 1000+ | 6.95 грн |



