Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K7002CFU,LF
SSM3K7002CFU,LF

SSM3K7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=30494&prodName=SSM3K7002CFU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 170MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.52 грн
6000+1.29 грн
9000+1.12 грн
15000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 170MA USM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: USM, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SSM3K7002CFU,LF за ціною від 2.44 грн до 10.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K7002CFU,LF SSM3K7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30494&prodName=SSM3K7002CFU Description: MOSFET N-CH 60V 170MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 72386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.01 грн
53+5.63 грн
122+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LF SSM3K7002CFU,LF Toshiba SSM3K7002CFU_datasheet_en_20150507-1102600.pdf MOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 22568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LF docget.jsp?did=30494&prodName=SSM3K7002CFU
SSM3K7002CFU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 170MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 72386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.01 грн
53+5.63 грн
122+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LF SSM3K7002CFU_datasheet_en_20150507-1102600.pdf
SSM3K7002CFU,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 22568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.