SSM3K7002KF,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.51 грн |
| 6000+ | 3.03 грн |
| 9000+ | 2.85 грн |
| 15000+ | 2.49 грн |
| 21000+ | 2.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K7002KF,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA S-MINI, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: S-Mini, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SSM3K7002KF,LF за ціною від 1.90 грн до 17.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3K7002KF,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Small-signal Nch MOSFET ID:0.4A |
на замовлення 5278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SSM3K7002KF,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA S-MINI Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: S-Mini Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 270mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 29521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|