SSM3K7002KF,LXHF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K7002KF,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.5 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.13 грн |
| 1000+ | 3.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K7002KF,LXHF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K7002KF,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.5 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270mW, Bauform - Transistor: SOT-346, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM3K7002KF,LXHF(T за ціною від 3.75 грн до 12.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3K7002KF,LXHF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K7002KF,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.5 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SSM3K7002KF,LXHF(T | Виробник : Toshiba | Transistoren mit Verlustleistung <1W(andere als Fototransistoren) N-CHANNEL SMOS |
товару немає в наявності |