Продукція > TOSHIBA > SSM3K72KFS,LF(T
SSM3K72KFS,LF(T
  • SSM3K72KFS,LF(T
  • SSM3K72KFS,LF(T

SSM3K72KFS,LF(T TOSHIBA


SSM3K72KFS.pdf Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 150mW; SC75
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 15864 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
65+5.86 грн
130+ 2.8 грн
250+ 2.47 грн
375+ 2.19 грн
1025+ 2.08 грн
3000+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 65
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K72KFS,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3K72KFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.05 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції SSM3K72KFS,LF(T за ціною від 2.02 грн до 7.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3K72KFS,LF(T
+1
SSM3K72KFS,LF(T Виробник : TOSHIBA SSM3K72KFS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 150mW; SC75
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15864 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+7.03 грн
80+ 3.49 грн
250+ 2.96 грн
375+ 2.63 грн
1025+ 2.49 грн
3000+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 40
SSM3K72KFS,LF(T SSM3K72KFS,LF(T Виробник : Toshiba ssm3k72kfs_datasheet_en_20210603.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4262+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 4262
SSM3K72KFS,LF(T SSM3K72KFS,LF(T Виробник : Toshiba ssm3k72kfs_datasheet_en_20210603.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 9000
SSM3K72KFS,LF(T SSM3K72KFS,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622442.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K72KFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.05 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 54330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.39 грн
1000+ 2.41 грн
3000+ 2.22 грн
6000+ 2.09 грн
12000+ 2.02 грн
Мінімальне замовлення: 500
SSM3K72KFS,LF(T SSM3K72KFS,LF(T Виробник : Toshiba ssm3k72kfs_datasheet_en_20210603.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.01 грн
33000+ 6.41 грн
66000+ 5.96 грн
99000+ 5.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SSM3K72KFS,LF(T SSM3K72KFS,LF(T Виробник : Toshiba ssm3k72kfs_datasheet_en_20210603.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.01 грн
57000+ 6.41 грн
114000+ 5.96 грн
171000+ 5.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SSM3K72KFS,LF(T SSM3K72KFS,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622442.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K72KFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.05 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 54330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
99+7.76 грн
113+ 6.77 грн
164+ 4.64 грн
500+ 3.39 грн
1000+ 2.41 грн
3000+ 2.22 грн
6000+ 2.09 грн
12000+ 2.02 грн
Мінімальне замовлення: 99
SSM3K72KFS,LF(T SSM3K72KFS,LF(T Виробник : Toshiba ssm3k72kfs_datasheet_en_20210603.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R
на замовлення 3497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM3K72KFS,LF(T SSM3K72KFS,LF(T Виробник : Toshiba ssm3k72kfs_datasheet_en_20210603.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A Automotive 3-Pin SSM T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)