
SSM3K72KFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.24 грн |
6000+ | 1.93 грн |
9000+ | 1.63 грн |
15000+ | 1.46 грн |
21000+ | 1.39 грн |
30000+ | 1.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K72KFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SSM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3K72KFS,LF за ціною від 1.62 грн до 14.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM3K72KFS,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 38194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM3K72KFS,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 26671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM3K72KFS,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SSM3K72KFS,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
SSM3K72KFS,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |