Продукція > TOSHIBA > SSM3K72KFS,LXHF(T
SSM3K72KFS,LXHF(T

SSM3K72KFS,LXHF(T TOSHIBA


3622442.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K72KFS,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.5 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.26 грн
1000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K72KFS,LXHF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3K72KFS,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.5 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3K72KFS,LXHF(T за ціною від 3.08 грн до 10.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3K72KFS,LXHF(T SSM3K72KFS,LXHF(T Виробник : TOSHIBA 3622442.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K72KFS,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.5 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+10.69 грн
104+8.10 грн
150+5.59 грн
500+4.26 грн
1000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.