Продукція > TOSHIBA > SSM5H16TU,LF(T
SSM5H16TU,LF(T

SSM5H16TU,LF(T Toshiba

167docget.jsppidssm5h16tulangentypedatasheet.jsppidssm5h16tulangenty.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.9A 5-Pin UFV T/R
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
260+54.14 грн
532+26.41 грн
582+24.16 грн
1000+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM5H16TU,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM5H16TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.133 ohm, SOT-353F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-353F, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: U-MOSIII Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM5H16TU,LF(T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM5H16TU,LF(T SSM5H16TU,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM5H16TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.133 ohm, SOT-353F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-353F
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H16TU,LF(T SSM5H16TU,LF(T TOSHIBA 4163431.pdf Description: TOSHIBA - SSM5H16TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.133 ohm, SOT-353F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-353F
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H16TU,LF(T
SSM5H16TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM5H16TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.133 ohm, SOT-353F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-353F
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H16TU,LF(T 4163431.pdf
SSM5H16TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM5H16TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.133 ohm, SOT-353F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-353F
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.