
SSM5H16TU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM5H16TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.133 ohm, SOT-353F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-353F
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 14.90 грн |
500+ | 11.24 грн |
1000+ | 8.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM5H16TU,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM5H16TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.133 ohm, SOT-353F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-353F, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: U-MOSIII Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM5H16TU,LF(T за ціною від 8.19 грн до 28.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM5H16TU,LF(T | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 1568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SSM5H16TU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-353F Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: U-MOSIII Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|