Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM5H16TU,LF
SSM5H16TU,LF

SSM5H16TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM5H16TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=1898&prodName=SSM5H16TU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Supplier Device Package: UFV
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM5H16TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Supplier Device Package: UFV, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SSM5H16TU,LF за ціною від 10.38 грн до 43.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM5H16TU,LF SSM5H16TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H16TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=1898&prodName=SSM5H16TU Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Supplier Device Package: UFV
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.10 грн
12+25.65 грн
100+16.36 грн
500+11.60 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H16TU,LF SSM5H16TU,LF Toshiba 8FFA5E2536F8F70C59AA4C6392C6A75FF5D5E631F5E4F510E67ADCAC69312FBF.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch + SBD VDSS=30V, VR=30V,I(SBD)=0.8A,VGSS=+/-12V,ID=1.9A,RDS(ON)=0.103Ohm at 4V
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H16TU,LF SSM5H16TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=1898&prodName=SSM5H16TU
SSM5H16TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Supplier Device Package: UFV
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.10 грн
12+25.65 грн
100+16.36 грн
500+11.60 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H16TU,LF 8FFA5E2536F8F70C59AA4C6392C6A75FF5D5E631F5E4F510E67ADCAC69312FBF.pdf
SSM5H16TU,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch + SBD VDSS=30V, VR=30V,I(SBD)=0.8A,VGSS=+/-12V,ID=1.9A,RDS(ON)=0.103Ohm at 4V
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.