Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM5H16TU,LF
SSM5H16TU,LF

SSM5H16TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM5H16TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=1898&prodName=SSM5H16TU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM5H16TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UFV, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SSM5H16TU,LF за ціною від 7.67 грн до 46.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM5H16TU,LF SSM5H16TU,LF Виробник : Toshiba SSM5H16TU_datasheet_en_20140301-1627255.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch + SBD VDSS=30V, VR=30V,I(SBD)=0.8A,VGSS=+/-12V,ID=1.9A,RDS(ON)=0.103Ohma.4V
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.74 грн
13+27.96 грн
100+15.58 грн
500+11.78 грн
1000+10.49 грн
3000+8.21 грн
6000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H16TU,LF SSM5H16TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H16TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=1898&prodName=SSM5H16TU Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 6473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.03 грн
12+27.38 грн
100+17.47 грн
500+12.38 грн
1000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H16TU,LF SSM5H16TU,LF Виробник : Toshiba 167docget.jsppidssm5h16tulangentypedatasheet.jsppidssm5h16tulangenty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.9A 5-Pin UFV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.