| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.36 грн |
| 18+ | 18.12 грн |
| 100+ | 9.99 грн |
| 500+ | 7.45 грн |
| 1000+ | 6.61 грн |
| 2000+ | 5.91 грн |
| 4000+ | 4.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM5N15FE(TE85L,F) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA ESV, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-553, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Part Status: Active, Supplier Device Package: ESV.
Інші пропозиції SSM5N15FE(TE85L,F) за ціною від 6.01 грн до 35.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM5N15FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 30V 100MA ESVInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Part Status: Active Supplier Device Package: ESV Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-553 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|