
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 22.32 грн |
24+ | 14.64 грн |
100+ | 6.62 грн |
1000+ | 5.37 грн |
4000+ | 4.86 грн |
8000+ | 3.97 грн |
24000+ | 3.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM5N15FE(TE85L,F) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA ESV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-553, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: ESV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V.
Інші пропозиції SSM5N15FE(TE85L,F) за ціною від 6.04 грн до 35.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM5N15FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: ESV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SSM5N15FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: ESV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V |
товару немає в наявності |