на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.78 грн |
| 21+ | 17.08 грн |
| 100+ | 6.48 грн |
| 500+ | 6.09 грн |
| 1000+ | 5.64 грн |
| 4000+ | 4.42 грн |
| 8000+ | 3.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM5N15FE(TE85L,F) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA ESV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-553, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: ESV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V.
Інші пропозиції SSM5N15FE(TE85L,F) за ціною від 6.26 грн до 37.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM5N15FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA ESVPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: ESV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SSM5N15FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA ESVPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: ESV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V |
товару немає в наявності |

