
SSM5N15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: 5-SSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 18.30 грн |
26+ | 11.80 грн |
100+ | 7.93 грн |
500+ | 5.72 грн |
1000+ | 5.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM5N15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA USV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Supplier Device Package: 5-SSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V.
Інші пропозиції SSM5N15FU,LF за ціною від 5.22 грн до 36.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM5N15FU,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 5560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM5N15FU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Supplier Device Package: 5-SSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V |
товару немає в наявності |