SSM5P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.50 грн |
| 21+ | 15.71 грн |
| 100+ | 9.85 грн |
| 500+ | 6.87 грн |
| 1000+ | 6.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM5P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A USV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 200mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Supplier Device Package: USV.
Інші пропозиції SSM5P15FU,LF за ціною від 3.75 грн до 31.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM5P15FU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-0.1A VDSS=-30V |
на замовлення 4770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SSM5P15FU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A USVPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Supplier Device Package: USV |
товару немає в наявності |
