SSM6G18NU,LF Toshiba
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch + SBD VDSS=-20V, VR=30V, I(SBD)=1A, VGSS=+/-8V, ID=-2A, RDS(ON)=0.112ohm a. 4.5V, in UDFN6 package
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6G18NU,LF Toshiba
MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch + SBD VDSS=-20V, VR=30V, I(SBD)=1A, VGSS=+/-8V, ID=-2A, RDS(ON)=0.112ohm a. 4.5V, in UDFN6 package.
Інші пропозиції SSM6G18NU,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6G18NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
SSM6G18NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSM6G18NU,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
Description: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM6G18NU,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
Description: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)