SSM6G18NU,LF Toshiba
Виробник: ToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch + SBD VDSS=-20V, VR=30V, I(SBD)=1A, VGSS=+/-8V, ID=-2A, RDS(ON)=0.112ohm a. 4.5V, in UDFN6 package
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 37.68 грн |
| 15+ | 23.43 грн |
| 100+ | 9.66 грн |
| 1000+ | 8.53 грн |
| 3000+ | 6.57 грн |
| 9000+ | 5.58 грн |
| 24000+ | 5.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6G18NU,LF Toshiba
MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch + SBD VDSS=-20V, VR=30V, I(SBD)=1A, VGSS=+/-8V, ID=-2A, RDS(ON)=0.112ohm a. 4.5V, in UDFN6 package.
Інші пропозиції SSM6G18NU,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6G18NU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SSM6G18NU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |