Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6H19NU,LF
SSM6H19NU,LF

SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=14715&prodName=SSM6H19NU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.65 грн
16+19.24 грн
100+12.98 грн
500+9.45 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM6H19NU,LF за ціною від 5.52 грн до 31.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6H19NU,LF SSM6H19NU,LF Виробник : Toshiba SSM6H19NU_datasheet_en_20210917-1150167.pdf MOSFETs UDFN6 S-MOS TRSTR Pd: 0.5W F: 1MHz
на замовлення 4607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.84 грн
18+19.54 грн
100+10.96 грн
500+8.61 грн
1000+6.92 грн
3000+5.81 грн
9000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6H19NU,LF SSM6H19NU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14715&prodName=SSM6H19NU Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.