SSM6J207FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 251mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.72 грн |
| 14+ | 22.38 грн |
| 100+ | 14.31 грн |
| 500+ | 10.13 грн |
| 1000+ | 9.04 грн |
| 2000+ | 8.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6J207FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 251mOhm @ 650mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SSM6J207FE,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6J207FE,LF | Toshiba |
MOSFETs Small-signal FET 0.491Ohm -1.4A -30V |
на замовлення 3365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM6J207FE,LF |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-signal FET 0.491Ohm -1.4A -30V
MOSFETs Small-signal FET 0.491Ohm -1.4A -30V
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)