Продукція > TOSHIBA > SSM6J207FE,LF
SSM6J207FE,LF

SSM6J207FE,LF Toshiba

SSM6J207FE_datasheet_en_20140301-1022870.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-signal FET 0.491Ohm -1.4A -30V
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.93 грн
13+24.54 грн
100+13.19 грн
500+10.56 грн
1000+8.15 грн
4000+7.39 грн
8000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J207FE,LF Toshiba

Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 251mOhm @ 650mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SSM6J207FE,LF за ціною від 8.23 грн до 38.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6J207FE,LF SSM6J207FE,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 251mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.06 грн
14+22.59 грн
100+14.44 грн
500+10.22 грн
1000+9.13 грн
2000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J207FE,LF SSM6J207FE,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 251mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.