Продукція > TOSHIBA > SSM6J212FE,LF(CA
SSM6J212FE,LF(CA

SSM6J212FE,LF(CA TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J212FE,LF(CA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0353 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0353ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.49 грн
500+13.49 грн
1000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J212FE,LF(CA TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6J212FE,LF(CA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0353 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0353ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM6J212FE,LF(CA за ціною від 9.27 грн до 33.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6J212FE,LF(CA SSM6J212FE,LF(CA Виробник : Toshiba 234docget.jsptypedatasheetlangenpidssm6j212fe.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
617+19.81 грн
620+19.70 грн
647+18.88 грн
1000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 617
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE,LF(CA SSM6J212FE,LF(CA Виробник : Toshiba 234docget.jsptypedatasheetlangenpidssm6j212fe.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
463+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 463
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE,LF(CA SSM6J212FE,LF(CA Виробник : TOSHIBA 3622443.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J212FE,LF(CA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0353 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.18 грн
31+27.32 грн
100+18.49 грн
500+13.49 грн
1000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE,LF(CA SSM6J212FE,LF(CA Виробник : Toshiba 234docget.jsptypedatasheetlangenpidssm6j212fe.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.