Продукція > TOSHIBA > SSM6J212FE,LF
SSM6J212FE,LF

SSM6J212FE,LF Toshiba

SSM6J212FE_datasheet_en_20140301-1916403.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
на замовлення 16666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.22 грн
12+31.45 грн
100+20.42 грн
500+16.08 грн
1000+12.34 грн
2500+11.28 грн
4000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J212FE,LF Toshiba

Description: MOSFET P-CH 20V 4A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM6J212FE,LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6J212FE,LF Виробник : Toshiba 234docget.jsptypedatasheetlangenpidssm6j212fe.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE,LF Виробник : Toshiba 234docget.jsptypedatasheetlangenpidssm6j212fe.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE,LF SSM6J212FE,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1906&prodName=SSM6J212FE Description: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE,LF SSM6J212FE,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1906&prodName=SSM6J212FE Description: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.