Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6J215FE(TE85L,F
SSM6J215FE(TE85L,F

SSM6J215FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=13425&prodName=SSM6J215FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.33 грн
12+ 24.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J215FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM6J215FE(TE85L,F за ціною від 5.54 грн до 30.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6J215FE(TE85L,F SSM6J215FE(TE85L,F Виробник : Toshiba SSM6J215FE_datasheet_en_20140404-1150801.pdf MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.45 грн
13+ 24.64 грн
100+ 13.02 грн
1000+ 9.55 грн
4000+ 6.54 грн
8000+ 5.67 грн
24000+ 5.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
SSM6J215FE(TE85L,F SSM6J215FE(TE85L,F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13425&prodName=SSM6J215FE Description: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
товар відсутній