Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6J414TU,LF
SSM6J414TU,LF

SSM6J414TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=13022&prodName=SSM6J414TU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 6A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.5 грн
12+ 23.99 грн
100+ 14.4 грн
500+ 12.5 грн
1000+ 8.5 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J414TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P CH 20V 6A UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM6J414TU,LF за ціною від 7.61 грн до 35.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6J414TU,LF SSM6J414TU,LF Виробник : Toshiba SSM6J414TU_datasheet_en_20140404-1916148.pdf MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF
на замовлення 4472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.13 грн
11+ 28.48 грн
100+ 16.89 грн
500+ 12.68 грн
1000+ 9.55 грн
3000+ 8.68 грн
9000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM6J414TU,LF SSM6J414TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13022&prodName=SSM6J414TU Description: MOSFET P CH 20V 6A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
товар відсутній