Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6J422TU,LXHF
SSM6J422TU,LXHF

SSM6J422TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.95 грн
12+28.23 грн
100+21.10 грн
500+15.56 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J422TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): +6V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM6J422TU,LXHF за ціною від 8.96 грн до 50.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6J422TU,LXHF SSM6J422TU,LXHF Виробник : Toshiba 9480B6B274C0E75939AD0D5E2B8DF1925D488197EDD97A26CDF2EAB7026E499C.pdf MOSFETs SMOS P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.73 грн
12+30.81 грн
100+17.15 грн
500+13.17 грн
1000+11.71 грн
3000+10.03 грн
6000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHF SSM6J422TU,LXHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU Description: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.