
на замовлення 8898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 31.93 грн |
13+ | 26.73 грн |
100+ | 16.18 грн |
500+ | 12.65 грн |
1000+ | 10.30 грн |
3000+ | 9.56 грн |
9000+ | 8.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6J422TU,LXHF Toshiba
Description: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): +6V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM6J422TU,LXHF за ціною від 11.55 грн до 32.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM6J422TU,LXHF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UF6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): +6V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V |
на замовлення 2567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SSM6J422TU,LXHF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UF6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): +6V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |