SSM6J424TU,LF Toshiba
Виробник: Toshiba
MOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-6.0A, RDS(ON)=0.0225Ohm a. 4.5V, in UF6 package
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.84 грн |
| 13+ | 25.95 грн |
| 100+ | 12.53 грн |
| 1000+ | 8.58 грн |
| 3000+ | 7.48 грн |
| 9000+ | 6.78 грн |
| 24000+ | 6.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6J424TU,LF Toshiba
Description: MOSFET P-CH 20V 6A UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): +6V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM6J424TU,LF за ціною від 13.66 грн до 36.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSM6J424TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A UF6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UF6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): +6V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V |
на замовлення 504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SSM6J424TU,LF | Виробник : Toshiba |
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1650 @ 10, Qg, нКл = 23,1 @ 4,5 В, Rds = 22,5 мОм @ 6 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 1000 мкА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SMD-6 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
SSM6J424TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A UF6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UF6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): +6V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
