SSM6J501NU,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.98 грн |
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Технічний опис SSM6J501NU,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM6J501NU,LF(T за ціною від 21.98 грн до 51.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
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SSM6J501NU,LF(T | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH 20V 10A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 2981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM6J501NU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6J501NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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