Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6J501NU,LF
SSM6J501NU,LF

SSM6J501NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=6841&prodName=SSM6J501NU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.47 грн
6000+8.32 грн
9000+7.92 грн
15000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J501NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM6J501NU,LF за ціною від 8.34 грн до 37.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6J501NU,LF SSM6J501NU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6841&prodName=SSM6J501NU Description: MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
на замовлення 18961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.44 грн
16+20.77 грн
100+15.48 грн
500+11.56 грн
1000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LF SSM6J501NU,LF Виробник : Toshiba 8D9775122FE8D11759CCBFF1DCEA318A254228B1ABF4EC3CC63A903E3689BA32.pdf MOSFETs PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V
на замовлення 18682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.23 грн
16+22.66 грн
100+13.95 грн
500+11.22 грн
1000+10.23 грн
3000+9.10 грн
6000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LF SSM6J501NU,LF Виробник : Toshiba 42docget.jsplangenpidssm6j501nutypedatasheet.jsplangenpidssm6j501nu.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LF SSM6J501NU,LF Виробник : Toshiba 42docget.jsplangenpidssm6j501nutypedatasheet.jsplangenpidssm6j501nu.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LF SSM6J501NU,LF Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885F87B51888ECA18&compId=SSM6J501NU.pdf?ci_sign=1aff0e4ab453d18eda24d2b09c174a4adb88caf9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -30A; 1W; uDFN6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -10A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 1W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J501NU,LF SSM6J501NU,LF Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885F87B51888ECA18&compId=SSM6J501NU.pdf?ci_sign=1aff0e4ab453d18eda24d2b09c174a4adb88caf9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -30A; 1W; uDFN6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -10A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 1W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.