SSM6J501NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6J501NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM6J501NU,LF за ціною від 8.38 грн до 37.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6J501NU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V |
на замовлення 3891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6J501NU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V |
на замовлення 18682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6J501NU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SSM6J501NU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SSM6J501NU,LF | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -30A; 1W; uDFN6; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -10A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 1W Case: uDFN6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |