Продукція > TOSHIBA > SSM6J502NU,LF(T

SSM6J502NU,LF(T TOSHIBA

Name: SSM6J502NU,LF(T
Brand: TOSHIBA
SKU: 13481373-6
Price: 863.28 UAH
Availability: InStock

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J502NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0231 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0231ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
18+	47.96 грн
29+	29.68 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SSM6J502NU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6J502NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0231 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0231ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM6J502NU,LF(T

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SSM6J502NU,LF(T	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A	на замовлення 5968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SSM6J502NU,LF(T	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A	на замовлення 5968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SSM6J502NU,LF(T	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A	на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SSM6J502NU,LF(T	Виробник : Toshiba	Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 6-Pin UDFN EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SSM6J502NU,LF(T	Виробник : TOSHIBA	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6; ESD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: uDFN6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Gate charge: 24.8nC On-state resistance: 60.5mΩ Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SSM6J502NU,LF(T	Виробник : TOSHIBA	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6; ESD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: uDFN6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Gate charge: 24.8nC On-state resistance: 60.5mΩ Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±8V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.