SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage


SSM6J503NU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6824&prodName=SSM6J503NU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.06 грн
11+28.30 грн
100+19.28 грн
500+13.57 грн
1000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM6J503NU,LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6J503NU,LF SSM6J503NU,LF Toshiba SSM6J503NU_datasheet_en_20140301-1916530.pdf MOSFETs SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS
на замовлення 8788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J503NU,LF SSM6J503NU_datasheet_en_20140301-1916530.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS
на замовлення 8788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.