Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6J505NU,LF
SSM6J505NU,LF

SSM6J505NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J505NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=13456&prodName=SSM6J505NU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.5 грн
11+ 26.7 грн
100+ 18.55 грн
500+ 13.59 грн
1000+ 11.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J505NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM6J505NU,LF за ціною від 9.28 грн до 34.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6J505NU,LF SSM6J505NU,LF Виробник : Toshiba SSM6J505NU_datasheet_en_20210917-1916168.pdf MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF
на замовлення 53952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.74 грн
11+ 29.71 грн
100+ 19.29 грн
500+ 15.15 грн
1000+ 11.68 грн
3000+ 10.68 грн
9000+ 9.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM6J505NU,LF SSM6J505NU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J505NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=13456&prodName=SSM6J505NU Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товар відсутній